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43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，仅仅是调整了肖特基吸收就把30-40M压下来。 115Vac低压30M红色顶线 230Vac高压30M红色也顶线调整肖特基吸收后：115Vac低压，走势图非常漂亮 230Vac高压，走势图非常漂亮44.安规距离一览表。 45.刚入门使用CAD、PADS上容易遇到的问题。a..PADS画好的PCB导出为DXF文件，CAD打开后是由双线组成的空心线段，如图：刚开始不会时，是用L命令一根一根的描，狂汗

如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离，依据公式500V对应0.85mm，DS电压在700V以下是0.9mm，考虑到污染和潮湿，一般取1.2mm 54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠，需要考虑T脚增加安全距离。之前碰到过炸机现象，增加安全距离后解决了，因为磁珠容易沾上残留物 55.发一个验证VCC的土方法，把产品放低温环境（冰箱）几分钟，测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。小公司设备没那么全，有兴趣的可以做个对比，看看VCC差异有多大关于VCC圈数的设计需要考虑很多因素 56.在变压器底部PCB加通风孔，有利于散热，小板也一样，要考虑风路。