。●初级与次级主绕组必须是近相邻的绕组，这样耦合会更有利。●开关电源在MOSFET-D端点工作时候产生的干扰是（也是RCD吸收端与变压器相连的端点），在变压器绕制时建议将他绕在变压器的个绕组，并作为起点端，让他藏在变压器里层，这样后面绕组铜线的屏蔽是有较好抑制干扰效果的。●VCC绕组在计算其圈数时尽量的在IC工作电压乘以1.1倍作为误差值，不用考虑铜线的压降，因为启动前电流是非常小的，所以这个电阻并没有多少影响，几乎可以忽略不计。
图一b（230Vac） 图一b可以看到，输入电压在230Vac测试时，65M和83M位置有点顶线（红色线）图一b-1（230Vac） 原边吸收电容由471P加大到102P，65M位置压下来一点，后面还是有点高，如图一b-1所示； 图一b-2（230Vac） 变压器屏蔽改成线屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰减，如图一b-2； 图一b-3（115Vac） 115Vac输入测试，后面150M又超了，发克！高压好了低压又不行，恼火啊！看来这招不行； 图一b-4（115Vac） 变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽（圈数由0.9Ts改成1.3Ts），效果不错，如图一b-4所示。 图一b-5（230Vac） 115Vac输入测试，测试通过。结论：一：变压器出线需做到不交叉；二：Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地，不与其它信号线交叉；
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