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图一b(230Vac) 图一b可以看到,输入电压在230Vac测试时,65M和83M位置有点顶线(红色线)图一b-1(230Vac) 原边吸收电容由471P加大到102P,POE电源厂家,65M位置压下来一点,后面还是有点高,如图一b-1所示; 图一b-2(230Vac) 变压器屏蔽改成线屏蔽(0.2*1*30Ts),后面完全衰减,如图一b-2; 图一b-3(115Vac) 115Vac输入测试,后面150M又超了,深圳电源厂家,发克!高压好了低压又不行,恼火啊!看来这招不行; 图一b-4(115Vac) 变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽(圈数由0.9Ts改成1.3Ts),效果不错,如图一b-4所示。 图一b-5(230Vac) 115Vac输入测试,测试通过。结论:一:变压器出线需做到不交叉;二:Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地,不与其它信号线交叉;
。●初级与次级主绕组必须是近相邻的绕组,这样耦合会更有利。●开关电源在MOSFET-D端点工作时候产生的干扰是(也是RCD吸收端与变压器相连的端点),在变压器绕制时建议将他绕在变压器的个绕组,并作为起点端,让他藏在变压器里层,LED防水驱动电源厂家,这样后面绕组铜线的屏蔽是有较好抑制干扰效果的。●VCC绕组在计算其圈数时尽量的在IC工作电压乘以1.1倍作为误差值,不用考虑铜线的压降,因为启动前电流是非常小的,所以这个电阻并没有多少影响,几乎可以忽略不计。
而在电路未启动之前,由于高压端启动电阻的充电,可以将VCC上电容上的电压充到IC启动的电压,一旦电路有问题一下启动不了VCC由于绕组电压的预设值偏低。电路也是不会启动的,一般表现为嗝状态。●为何要按照IC的工作电压低端取值?因为我们次级绕组是与初级绕组相邻绕制的,耦合效果相对而言是的。我们做短路试验也是做次级的输出短路,因为耦合效果好,次级短路时VCC在经过短暂的上冲后会快速降低,降到IC的关闭电压时电路得到的保护。需要注意这个电压需要高于MOSFET饱和导通1V以上,避免驱动不足。
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