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41.一个冷知识,如何测量PCB的铜箔厚度? 方法:在PCB板上找一条光滑且长的线条,测量其长度L,OEM板电源加工,再测宽度W,再用DC源加1A电流在其两端测得压降U 依据电阻率公式得出以下公式: 例:取一段PCB铜箔,长度L为40mm,宽度为10mm,其通过1A电流两端压降为0.005V,求该段铜箔厚度为多少um? 42.一款36W适配器的EMI整改案例,输出12V/3A,多图对比,整改花费时间3周。 变压器绕法一:Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→NpPCB关键布局:Y电容地→大电容地,变压器地→Vcc电容→大电容地注:变压器所有出线没有交叉图一(115Vac) 图一所示可以看到,130-200M处情况并不乐观;130-200M主要原因在于PCB布局问题和二次侧的肖特基回路,改其它地方作用不大,肖特基套磁珠可以完全压下来,图忘记保存了。


理由:开关管工作时容易干扰到背部的芯片,造成系统不稳定,其它高频器件同理 60.输出的DC线在PCB设计时,要设计成长短一至,焊盘孔间隔要小。 理由:SR的尾部留长是一样长的,当两个焊盘孔间隔太远时,会造成不方便生产焊接 61.MOS管、变压器远离AC端,改善EMI传导。 理由:高频信号会通过AC端耦合出去,从而噪声源被EMI设备检测到引起EMI问题 62.驱动电阻应靠近MOS管。 理由:增加抗干扰能力,提升系统稳定性


LEB前沿消隐时间设短了,内蒙古电源加工,比尖峰脉冲的时间还短,那就没有效果了还是会误判;如果设长了,LED驱动电源加工,真正的过流来了起不到保护的作用。 Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay,否则输出短路时,Vds会比满载时还高,超过MOSFET耐压就可能造成炸机。 经验值1nS的Delay约等于1K对100PF,也等于100R对102PF 16.画小板时,在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔。理由:方便组装 如图: 实物如图: 实际组装如图: 这样做可以使小板与PCB大板之间紧密贴合,不会有浮高现象 17.电路设计,肖特基的散热片可以接到输出正极线路,这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒 18.电路调试,15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007,ODM板电源加工,因为1N4007速度慢300uS,压降也大1.3V,老化过程中温度很高,容易失效造成炸机 19.电路调试,输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量,避勉量产有损坏现象。


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