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41.一个冷知识,如何测量PCB的铜箔厚度? 方法:在PCB板上找一条光滑且长的线条,测量其长度L,再测宽度W,再用DC源加1A电流在其两端测得压降U 依据电阻率公式得出以下公式: 例:取一段PCB铜箔,梅沙街道适配器厂家,长度L为40mm,宽度为10mm,其通过1A电流两端压降为0.005V,求该段铜箔厚度为多少um? 42.一款36W适配器的EMI整改案例,输出12V/3A,多图对比,整改花费时间3周。 变压器绕法一:Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→NpPCB关键布局:Y电容地→大电容地,变压器地→Vcc电容→大电容地注:变压器所有出线没有交叉图一(115Vac) 图一所示可以看到,插墙型适配器厂家,130-200M处情况并不乐观;130-200M主要原因在于PCB布局问题和二次侧的肖特基回路,改其它地方作用不大,肖特基套磁珠可以完全压下来,图忘记保存了。


如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离,依据公式500V对应0.85mm,DS电压在700V以下是0.9mm,考虑到污染和潮湿,一般取1.2mm 54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠,需要考虑T脚增加安全距离。 之前碰到过炸机现象,增加安全距离后解决了,因为磁珠容易沾上残留物 55.发一个验证VCC的土方法,把产品放低温环境(冰箱)几分钟,测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。 小公司设备没那么全,有兴趣的可以做个对比,看看VCC差异有多大关于VCC圈数的设计需要考虑很多因素 56.在变压器底部PCB加通风孔,有利于散热,小板也一样,要考虑风路。


图一b(230Vac) 图一b可以看到,输入电压在230Vac测试时,65M和83M位置有点顶线(红色线)图一b-1(230Vac) 原边吸收电容由471P加大到102P,65M位置压下来一点,桌面型适配器厂家,后面还是有点高,如图一b-1所示; 图一b-2(230Vac) 变压器屏蔽改成线屏蔽(0.2*1*30Ts),USB适配器厂家,后面完全衰减,如图一b-2; 图一b-3(115Vac) 115Vac输入测试,后面150M又超了,发克!高压好了低压又不行,恼火啊!看来这招不行; 图一b-4(115Vac) 变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽(圈数由0.9Ts改成1.3Ts),效果不错,如图一b-4所示。 图一b-5(230Vac) 115Vac输入测试,测试通过。结论:一:变压器出线需做到不交叉;二:Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地,不与其它信号线交叉;


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